華虹半導體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺

2021-07-12 16:28:13

全球領先的特殊工藝純晶圓代工企業—— 華虹半導體有限公司今天宣布，新推出90納米超低泄漏(ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺，滿足大容量微控制器(MCU)需求。作為華虹半導體0.11微米超低泄漏技術的延續，該工藝平臺為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案，功耗和成本更低，適用于物聯網、可穿戴設備、工業和汽車電子等應用。

新推出的90 nm超低漏嵌入式flash技術平臺1.5V內核N型和P型MOS晶體管漏電流達到0.2pA/微米，可有效延長單片機器件待機時間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器(eNVM) IP具有10萬到50萬次擦寫的獨特優勢，讀取速度達到30ns。同時邏輯單元庫集成度高，達到400K門/mm2以上，可以在很多方面幫助客戶減少芯片面積。

這種工藝平臺最大的優點是集成了公司自己的專利分柵NORD嵌入式閃存技術，在90 nm工藝下具有業界最小的單元尺寸和面積的最小嵌入式NOR閃存IP，并且具有掩膜層較少的優勢，幫助客戶進一步降低MCU的制造成本，尤其是大容量MCU 產品。平臺同時支持射頻(RF)、eFlash和EEPROM。

華虹半導體公司執行副總裁孔蔚然，博士說：“公司致力于創新和不斷優化差異化技術，為客戶提供急需的、經濟高效的工藝和技術服務。在完善8英寸平臺的同時，我們將加快12英寸生產線的產能擴張和技術研發。物聯網和汽車電子是單片機應用的增量市場。90納米超低泄漏嵌入式閃存技術平臺的推出，進一步拓展了華虹半導體單片機客戶群在超低功耗市場應用領域的代工廠選擇空間。”