首爾國(guó)立大學(xué)表示，該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的NOR芯片可以克服過(guò)去的許多缺點(diǎn)。據(jù)負(fù)責(zé)人介紹，NOR芯片雖然可以快速跟蹤數(shù)據(jù)，但是因?yàn)镹OR芯片的上限只有1GB，消耗的能量比較多，所以被NAND芯片打敗了。相比之下，NANDFlash可以存儲(chǔ)32GB的數(shù)據(jù)，更有優(yōu)勢(shì)。NAND芯片可用于MP3、相機(jī)和USB存儲(chǔ)器。

一般的NOR芯片通常不會(huì)特別，但是首爾國(guó)立大學(xué)的工程師開(kāi)發(fā)的芯片有重要的特點(diǎn)。負(fù)責(zé)團(tuán)隊(duì)的教授表示，通過(guò)將NOR芯片彎曲成錐形，芯片的電子和物理質(zhì)量將得到全面提升，其功能在理論上可以達(dá)到NAND芯片的水平。

雖然有一些區(qū)別，但是改進(jìn)后的NOR芯片基本上可以替代NAND芯片，可以用于各種電子設(shè)備，尤其是手機(jī)。但由于傳統(tǒng)NOR芯片價(jià)格較高，改進(jìn)后的NOR芯片是否會(huì)受到價(jià)格的限制還有待觀察。

然而，對(duì)于三星三星電子和其他韓國(guó)技術(shù)巨頭來(lái)說(shuō)，使用國(guó)內(nèi)技術(shù)將有助于控制成本，從而提高他們對(duì)英特爾的競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)報(bào)道，2010年閃存市場(chǎng)，包括或非門和與非門芯片，預(yù)計(jì)將超過(guò)200億美元，高于2009年的180億美元。

改進(jìn)NOR芯片項(xiàng)目由韓國(guó)政府資助，歷時(shí)4年，投資3億韓元(約合26.7萬(wàn)美元)。