三星宣布已開發首款10納米第三代超高性能和高功效DRAM

2020-12-25 09:10:00

據三星電子官網消息，作為全球先進存儲技術的領導者，三星電子今天(21日)宣布推出第三代10納米(1z-nm)8GB超高性能、高效率的DRAM(動態隨機存取存儲器)。在第二代10nm (1y-nm)8Gb DDR4開始量產后僅16個月，三星就開發出了1z-nm 8Gb DDR4，而沒有使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理，這表明三星已經突破了DRAM的擴展極限。

隨著10納米成為業界最小的存儲技術節點，三星現在已經準備好滿足不斷增長的市場需求。與以前的1Y納米級版本相比，新DDR4動態隨機存取存儲器的制造生產率提高了20%以上。

10納米8Gb DDR4將于今年下半年開始大規模生產，以適應預計于2020年推出的下一代企業服務器和高端PC。

“我們致力于突破技術面臨的最大挑戰，以推動我們實現更大的創新。我們很高興為下一代動態隨機存取存儲器的穩定生產奠定基礎，確保最大的性能和能效。”三星，電子動態隨機存取存儲器產品和技術執行副總裁李榮培說。“在我們構建10納米動態隨機存取存儲器系列的同時，三星的目標是支持其全球客戶部署尖端系統，并促進高端存儲器市場的增長。”

三星開發的10納米動態隨機存取存儲器為加速全球信息技術向下一代動態隨機存取存儲器接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)的過渡鋪平了道路，這將為未來的數字創新提供動力。隨后的10納米產品具有更高的容量和性能，將使三星能夠提高其業務競爭力，鞏固其在高端動態隨機存取存儲器市場的領先地位，應用包括服務器、圖形和移動設備。

在與中央處理器制造商充分驗證8 GB DDR4模塊后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的內存解決方案。

根據目前的行業需求，三星計劃在其平澤網站上增加主內存生產的比例，并與其全球信息技術客戶合作，以滿足對最先進的動態隨機存取存儲器產品日益增長的需求。