埃賦隆半導體(Ampleon)現在宣布,它已在其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術的基礎上衍生出先進加固技術(ART),并開發了新系列射頻功率器件產品的第一個。這種新工藝的開發旨在實現工作電壓高達65V的極其魯棒的晶體管。
第一個采用這種技術的產品ART2K0FE是一個2kW的晶體管,頻率響應為0到650MHz,封裝在氣腔陶瓷中。它的設計可以承受工業、科學和醫學(ISM)應用中最惡劣的條件,并可用于驅動高功率CO2激光器、等離子體發生器和一些磁共振成像系統。ART器件適合這些應用,因為它們可以在65V下處理高達65:1的VSWR失配,這在CO2激光器和等離子體發生器工作時可能會遇到。
基于ART工藝開發的器件,阻抗高,所以在開發階段更容易集成到產品中,保證量產時更高的產品一致性。這個過程也可以讓開發出來的器件比LDMOS競爭產品更有效率。這樣,最終應用運營的成本可以通過節省輸入電能和減少加熱來降低。此外,采用這種工藝的器件還可以實現更高的功率密度,即可以采用更小、成本更低的封裝,從而減少其電路板的占用面積,進而降低系統成本。
ART器件還具有高擊穿電壓,這有助于確保它們在預期壽命內可靠、一致地工作。埃賦隆半導體還保證此類器件可供貨15年,以便產品設計師進行長期規劃。
用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現在可以提供樣品,可以選擇不同頻率的參考電路。埃賦隆半導體還提供低熱阻包覆成型塑料版本ART2K0PE。兩個版本預計在2020下半年量產。