這一全新的可擴展平臺同時優化了電源開關的電氣、機械和熱設計以及關鍵控制。對于愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現更高效、更簡潔的電機驅動的電動汽車(EV)原始設備制造商和電機制造商來說，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。

可擴展平臺的第一款產品是一款三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，具有低導通損耗特性、3.25 毫歐(mohm)的導通電阻和低開關損耗特性，600 v/300 a時的通斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ，與最先進的IGBT功率模塊相比，損耗降低了至少三倍。新模塊由輕質鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板水冷，對流體的熱阻為0.15/瓦.智能電源模塊可以承受高達3600伏的隔離電壓(經過50Hz，1分鐘的耐壓測試)。

內置柵極驅動器包括三個板載隔離電源(每相一個)，每相可提供高達5W的功率，因此它可以在高達125C的環境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的電源模塊.高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(50KV/s)的抗擾度可以實現功率模塊的快速開關和低開關損耗。它還具有欠壓閉鎖(UVLO)、主動米勒箝位(AMC)、去飽和檢測和軟關斷(SSD)等保護功能，以確保電源模塊能夠安全驅動，并在出現故障時提供可靠保護。

“開發和優化快速開關碳化硅功率模塊并可靠地驅動它們仍然是一項挑戰，”CISSOID的首席執行官戴夫赫頓說。“這款新型碳化硅智能電源模塊是電源模塊和柵極驅動器多年發展的成果，這歸功于我們與汽車和交通領域的領導者的密切合作。我們很高興向早期碳化硅器件采用者提供第一批智能電源模塊樣品，以支持汽車行業向高效電動汽車解決方案的過渡。"