新的氮化鎵技術使用穿透外延層的通孔，減少了缺陷，并將芯片尺寸減小了約24%。TO-247封裝的新器件的導通電阻RDS(on)降至僅41m(最大值，25時典型值為35m)，具有較高的柵極閾值電壓和較低的反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件進一步將導通電阻值降至39 m(最大值，25時典型值為33 m)。兩種封裝中的新器件都符合AEC-Q101標準，能夠滿足汽車應用的要求。

耐視氮化鎵戰略營銷總監迪爾德喬杜里(Dilder  Chowdhury)表示：“客戶需要3000萬至4000萬的導通電阻？650伏高性價比高功率轉換新設備。相關應用包括電動汽車車載充電器、高壓DC-DC轉換器和發動機牽引逆變器；以及1.5~5kW鈦工業電源，如：機架式電信設備、5G設備、數據中心相關設備。Nexperia繼續投資氮化鎵開發，并利用新技術產品擴大其投資組合。首先，我們為電源模塊制造商提供傳統的TO-247封裝器件和裸芯片，然后提供我們的高性能CCPAK芯片封裝器件。”

在Nexperia的CCPAK貼片封裝中，創新的銅夾封裝技術用于替換內部封裝引線。這可以減少寄生損耗，優化電氣和散熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件有頂部或底部散熱配置，這使得它們更加通用，有助于進一步改善散熱。