雖然HVLP  銅箔表面光滑，但現有的pcb生產工藝將導致銅箔，表面粗糙度增加，影響HVLP的銅箔效應。根據內層電路的制造工藝，內層需要經過干膜預處理和褐變處理。經過這兩個過程，HVLP  銅箔的表面粗糙度Rz將從原來的1.5m增加到約3微米.為了解決這個問題，市場上引入了相應的低粗糙度工藝。與傳統的棕櫚化學溶液相比，該工藝不會輕微腐蝕HVLP  銅箔，的表面，但在清洗銅箔，表面后，會沉積一層錫，并用硅氧烷對表面進行改性。當硅氧烷與聚丙烯壓制在一起時，可以起到橋接作用，在一定程度上增加了銅箔與聚丙烯之間的結合力。
將HVLP  銅箔的表面粗糙度與傳統的褐變工藝進行了比較。現有的干膜預處理和褐變工藝會在一定程度上增加銅箔表面粗糙度；采用低粗糙度工藝后，銅箔的表面粗糙度與原銅箔基本一致
測試結果表明，采用低粗糙度工藝后，信號損耗可降低0.03-0.05分貝/英寸(12.5千兆赫)。客觀地說，對極低損耗材料的改進范圍并不顯著，考慮到改進效果和成本投入，該工藝的性價比并不令人滿意，因此該工藝并未被pcb制造商廣泛采用。同時，對于HVLP銅來說，因為它仍然有一定的粗糙度，這個過程只能達到這個效果。對于未來的超低損耗材料，這種改進可能更有意義。此外，當銅箔核電廠正式投入商業使用，這一過程被認為發揮了更好的作用
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